汎用型自作PCまとめ

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    NAND

    コメント(4)  
    88df0b9f

    669: Socket774 (ワッチョイ 0d29-FLrv) 2026/10/06(火) 01:15:35.21 ID:m2Cd9caE0
    中国のNANDフラッシュメーカーYMTCは、世界的なメモリ不足があと3年続くと予想しているようだ。この主張はThe Wire Chinaが掲載した同社のプロフィール記事に基づくもので、YMTCの従業員が匿名を条件に見通しを明かした。同じ従業員によると、YMTCはチップの価格を引き上げ、より利益率の高い製品へ生産能力を振り向けているという。この抜粋は@jukan05によってXで共有され、NANDの予測として受け止められたが、従業員の表現はメモリ全般を対象としている。あと3年ということになれば、不足の終息は2029年後半ごろになる。もちろん、これは匿名の従業員1人の発言であり、YMTCによる公式な業績見通しではない。

    その2029年の予測は、TrendForceの見積もりを大きく上回っています。TrendForceは、新たな生産能力が稼働を開始することで、NANDフラッシュの供給が2027年後半に緩和すると見ています。これはMicronの見方に近く、同社のCEOであるSanjay Mehrotra氏は先週、2027年と2028年には供給が大幅に逼迫すると述べています。生産能力の振り向け先の変化も重要で、特に一般的なPCビルダーにとってはそうです。Counterpoint Researchによると、YMTCは第2四半期のNANDビット出荷量で14%のシェアを占めて4位でしたが、売上高では5位にとどまりました。これは、同社の製品構成がコンシューマー向け用途に偏っているためです。より利益率の高いチップへ生産能力を振り向ければ、YMTCが新たな工場でウェハー生産量を倍増させようとしている一方で、コンシューマー向けSSDに回る分が減る可能性があります。それでも、ストレージのアップグレードを計画している読者は、近いうちに価格が下がることを当てにすべきではありません。

    https://www.techpowerup.com/353401/chinese-nand-maker-ymtc-reportedly-expects-memory-shortage-to-last-another-three-years
    中国のNANDメーカーYMTCは、記憶力不足がさらに3年続くと予想していると報じられている

    673: Socket774 (ワッチョイ 1c58-L70F) 2026/10/06(火) 11:56:10.29 ID:n2KUkXo00
    >>669
    確かに記憶力不足のようですね

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    コメント(16)  
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    1: えりにゃん ★ 2026/08/29(土) 21:17:37.41 ID:vpwqP0l29
    半導体大手のキオクシアは、AIの普及による需要拡大に対応するため、岩手県北上市の工場に新たに「第3製造棟」を建設すると明らかにしました。「1兆8000億円」を投じるとしています。

    キオクシアホールディングスの太田裕雄社長は、8月27日、高市総理と面会し、北上市にある工場に新たに第3製造棟を整備する方針を明らかにしました。

    2025年9月に稼働した第2製造棟の南側に建設する予定で、投資額は約1兆8000億円、2029年度中の稼働開始を目指しています。

    第3製造棟では、AIの普及で需要が拡大している最先端のフラッシュメモリーの生産能力を高めるとしています。

    (続きはこちら) 
    https://news.yahoo.co.jp/articles/d724a9902c0b4e9f61f39f1fe574baf93c8895fc

    3: 名無しどんぶらこ 2026/08/29(土) 21:18:38.10 ID:oRd2eivB0
    半導体バブルに乗るしかない

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    コメント(17)  
    a965bf34

    1: それでも動く名無し 2026/08/13(木) 00:47:17.77 ID:elTm42SCd
    軒並み2倍近くまで跳ね上がる

    qviF4CG
    https://i.imgur.com/qviF4CG.jpeg

    3ZRfRc4

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    コメント(11)  
    cc5f1499

    1: 名無しさん必死だな 2026/03/11(水) 18:19:15.24 ID:XaAAwOh2M
    どーなんこれ

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    コメント(28)  
    a965bf34

    556: Socket774 (ワッチョイ 8fc2-4nt2) 2026/03/08(日) 21:43:54.20 ID:jYcKJoWq0
    サムスンのNAND供給は現在、価格の大幅な値上げが予想されています。韓国の大手企業は、DRAMと同様に、AIセクターからの需要を完全に活用する計画です。

    NANDの価格は制御不能になりつつあり、PC市場に壊滅的な影響を与える可能性があります

    PC業界は、メモリ供給業者からの新たな危機に直面しようとしており、AI顧客のDRAM需要に混乱させられた後、次はNANDがターゲットになっているようです。韓国のメディアサイトSedailyの報道によると、サムスンは第2四半期に驚くべき100%の価格引き上げを計画しており、第1四半期の同様の引き上げに続く形です。これにより、サムスンだけでNANDの価格が今年に入って200%以上引き上げられることになります。これは、NANDチップに依存する製品が大幅に高価になる、または手の届かないものになることを意味しています。そして、予想通り、これらの値上げは直接的にAI業界をターゲットにしています。

    NANDの価格だけでも昨年は450%急騰したと報告されており、その要因はAI分野からの需要だけでなく、メーカーがDRAMとNANDの生産バランスを取るのに苦戦していることにもある。しかし最近では、AIワークロードにおけるNANDチップの役割ははるかに重要になっており、これまでにも指摘してきたように、SSDは長いコンテキストのワークロードを処理するためにVera Rubinのような主流のAIラックで使用されるようになっている。これに伴い、Samsung、SanDisk、SK hynix、Kioxiaといったサプライヤーは現在、大幅な値上げを計画しており、ハイパースケーラーの需要を取り逃さないことを期待している。

     NANDの価格上昇は、消費者向けPC業界に壊滅的な影響を与えるでしょう。なぜなら、SSDが非常に高価になるだけでなく、システムインテグレーターやPCメーカーが供給を確保することが難しくなり、最終的には消費者向け製品の価格に圧力をかけるからです。このNANDの状況は、最初にDRAMの不足が進化した経緯に似たトレンドを辿るでしょうが、最近NANDの見通しが浮上していることを考えると、価格引き上げの攻撃性ははるかに大きいです。

    (続きはこちら)
    https://wccftech.com/the-nand-price-crisis-is-getting-worse/
    わろた

    561: Socket774 (ワッチョイ e3d5-VGSR) 2026/03/08(日) 23:23:11.84 ID:AvRxCEbu0
    >>556
    SanDisk、SK hynix、Kioxiaも追従かよ

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    コメント(12)  
    266ea261

    839: Socket774 2025/12/03(水) 01:22:09.76 ID:jOrfnLs6
    TrendForceの最新調査によると、2025年11月のNANDフラッシュ需要はAIアプリケーションと堅調なエンタープライズSSD受注に支えられ、引き続き堅調を維持した。一方、サプライヤーは高利益率のエンタープライズ向けおよびプレミアム製品への生産能力集中を継続し、旧世代ノードの生産能力は急速に削減された。

    これによりウェーハ供給がさらに逼迫し、11月の主流ウェーハ契約価格は急騰した。全製品カテゴリーで月間平均価格上昇率は20%から60%超に達し、この急騰は全容量帯に急速に拡大した。

    11月の価格動向を詳細に分析すると、企業向けSSD需要の持続により1Tb TLCが最も深刻な供給不足に陥り、平均価格が急騰したことが明らかになった。レガシーノードの早期廃止と持続的な市場需要の影響を受けた512Gb TLCは、全TLC製品中で最大の価格上昇率を示し、前月比65%超の上昇を記録した。さらに、レガシーノードの追加シャットダウン後に供給不足が再燃した256Gb TLCも大幅な価格上昇が続いた。

    QLCサプライチェーンは、大容量エンタープライズ製品への強い需要とコールドストレージ用途向け出荷増加により大幅に逼迫し、1Tb QLCは11月に大幅な価格上昇を記録した。MLC製品も、産業用制御機器や民生市場での安定した需要に支えられ、平均販売価格(ASP)の上昇が続いている。

    TrendForceによれば、サプライヤーは現在大きな価格決定力を有しており、ウェハーレベルの供給不足は短期的に改善する見込みがない。このため、契約価格は12月も上昇を続けると予測されている。

    以下ソース
    https://www.techpowerup.com/343493/nand-flash-wafer-supply-tightens-further-some-products-see-over-60-contract-price-hikes-in-november
    終わりだよもう

    841: Socket774 2025/12/03(水) 03:15:54.17 ID:TRLjoDWP
    値段上がるのはキツイが物が無くなるのもキツイ

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    846: 既にその名前は使われています (ワッチョイ fe9c-V8IM) 2025/11/18(火) 13:10:30.83 ID:U3hpFr5F0
    Samsung、SK hynix、キオクシアら、NAND協調減産でSSD価格が更に高騰か

    韓国メディアChosun Bizが市場調査会社Omdiaのデータを引用して報じたところによると、NANDフラッシュ市場を支配する主要メーカーは、2025年後半に入り一斉に生産調整に踏み切っているという。 

    以下ソース
    https://xenospectrum.com/nand-flash-production-cut-price-hike-2026-qlc-shift-ai-demand/
    SSDの値上がりは避けられないな

    847: 既にその名前は使われています (ワッチョイ 4d07-43h0) 2025/11/18(火) 14:08:26.44 ID:Y31f/WQK0
    調子ぶっこいてると中国に食われるぞ

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    Fd5a2WGby7mogsfi

    256: Socket774 (ワッチョイ dec5-KNN2) 2025/09/22(月) 13:53:59.11 ID:D72NIM2D0
    韓国メディア「ニュースデイリー」によると、サムスン電子はDRAMの契約価格を最大15~30%、モバイル用NANDフラッシュを約5~10%引き上げたことを確認した。これは需給バランスが著しく逼迫していることへの対応である。市場動向の変化を受け、サムスンは第4四半期の契約に先立ち主要顧客に通知したとされる。旧世代部品の段階的廃止が進む一方、ハイパースケールクラウド事業者やAI搭載PC・フラッグシップスマホの出荷を急ぐデバイスメーカーからの需要が急増している。さらにSKハイニックスやマイクロンなど競合他社も同様の調整を示唆しており、複数のサプライヤーが顧客に対し二桁の値上げと新規見積もりの一時制限を通知している。買い手にとってはサーバー・モバイルストレージ購入全般に即時の価格圧力となる一方、ベンダー側では高利益率の次世代製品ラインへ向け、ウェハー生産能力の戦略的再優先化を意味する。

    サムスンのDRAM LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5Xファミリー、ならびにeMMCやUFSなどの組み込みNANDフォーマットは、契約価格の上昇を経験している製品群に含まれる。一方、汎用DDR4の供給不足により、スポット相場は一時的に急騰した。メモリメーカーは生産能力をDDR5とHBMへ転換し、AIアクセラレータ向けHBM注文を優先したため、民生向けDRAMの供給が逼迫している。世界DRAM・NAND市場の約3分の1を占めるサムスンは、旧世代ノードの生産スケジュールを調整しつつ、次世代LPDDR6の開発を加速している。価格リセットにより、半導体部門の利益率は短期的に大幅に改善し、以前の景気循環的な弱さを緩和すると予想される。顧客にとっては、在庫計画の見直しを迫られ、おそらく価格対性能比を考慮した設計選択への再注目を余儀なくされるだろう。

    以下ソース
    https://www.techpowerup.com/341207/samsung-reportedly-raises-dram-and-nand-contract-prices-up-to-30
    サムスン、マイクロン等がDRAM爆裂値上げか…
    20~30%はエグいてぇ!

    257: Socket774 (オッペケ Sr23-GeU7) 2025/09/22(月) 14:55:06.05 ID:+Mxfgtl/r
    アリのマイクロンも上がってきてるから値上がるんじゃない?

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    kioxia_fab_toms_l_01

    1: 名無しさん@涙目です。(庭) [IT] 2025/02/23(日) 15:40:44.03 ID:q/JH2hu60● BE:618719777-2BP(6000)
    フラッシュメモリ第10世代は332層で密度59%向上、キオクシアら
    4.8Gb/秒と高速、低消費電力化も

    キオクシアとSandiskは、4.8Gb/秒のNANDインタフェース速度やさらなる低消費電力化などを実現する3次元(3D)フラッシュメモリ技術を開発した。この技術を導入する第10世代品は、積層数332層で、平面方向の高密度化によってビット密度は59%向上するという。

    続きはURLをご参照願います。

    10: 名無しさん@涙目です。(庭) [CA] 2025/02/23(日) 16:05:12.49 ID:WyaZHPow0
    これ凄いの?

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    コメント(23)  
    samsung-3d-v-nand-377_l_01

    274: Socket774 警備員[Lv.6][芽] 2024/12/01(日) 10:43:51.91 ID:CB49jmhu
    11月のDRAM・NAND価格、最大幅で暴落…需要不振で在庫増

    DRAM 20.5% DOWN、NAND 29.8% DOWN

    サムスン電子の第7世代グラフィックDRAM(GDDR7)=サムスン電子提供

    11月のメモリー半導体の月平均価格が、DRAM・NAND揃って今年最大幅で暴落した。

    29日の「DRAMeXchange」の情報によると、パソコン用DRAM汎用製品(DDR48Gb1Gx8)の11月の平均固定取引価格は前月比20.59%下がった1.35ドルと集計された。DRAM価格は昨年10月から概して上昇曲線を描いていたが、5~7月に横ばいを経て8月に下落転換した。続いて9月には前月比17.07%急落し、10月は変動がなかった。メモリーカード・USB用NAND型フラッシュ汎用製品(128Gb 16Gx8 MLC)の11月の平均固定取引価格は前月比29.80%下落した2.16ドルとなった。NAND価格は昨年10月から5カ月連続で上昇した後、横ばいを維持していたが、9月から下落傾向に転じた。

    以下ソース
    https://news.yahoo.co.jp/articles/2dca725c6a5bda8192b704101a717977bdc06d16
    くっぞ!11月のDRAM・NAND価格、最大幅で暴落…需要不振で在庫増

    275: Socket774 警備員[Lv.20] 2024/12/01(日) 10:45:15.20 ID:/lB8S3Du
    まじ?
    そろそろ 干からびた4TB16000切ったら起こしておじさん 水で戻す?

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    コメント(10)  
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    878: Socket774 (ワッチョイ 4f58-OINQ) 2024/04/09(火) 18:18:47.93 ID:02ZHgat70
    2024年第2四半期のNAND契約価格は平均13~18%ほどの上昇率に、TrendForce予測

    台湾の市場動向調査会社であるTrendForceによると、第2四半期のNAND契約価格は前四半期比で平均13〜18%ほど上昇すると予測されるという。

    中でもエンタープライズSSDは同20〜25%ともっとも上昇率が高いと予想されている。キオクシアとWestern Digitalが第1四半期以降、稼働率を高めて増産を開始したにもかかわらず、他のサプライヤは生産能力の増強に追従してはいないことが挙げられるほか、顧客側の第2四半期のNAND購入量も第1四半期比でわずかに落ち込んでいるためだという。

    webp

    (続きはこちら)
    https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240408-2923359/
    HDD、SSD、NAND
    ぜんぶ値上がりくるぞ、急げ!


    879: Socket774 (スププ Sd02-PnTs) 2024/04/09(火) 18:43:22.83 ID:B4GyFlYdd
    利益維持しても出荷数減ったらそのうちリストラかも

    引用元: https://egg.5ch.net/test/read.cgi/jisaku/1711651407/


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    コメント(30)  
    samsung_64_layer_v_nand_l_01

    155: Socket774 (ワッチョイ 2e6e-9OJL) 2024/01/05(金) 14:45:00.03 ID:hcaCHBHA0
    2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術

      3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。2013年に24層(ワード線の積層数)で始まった3D NANDフラッシュメモリの積層数は、9年後の2022年には約10倍の236層に達した。翌年(2023年)には、321層の3D NANDフラッシュメモリ(以降は3D NANDフラッシュと表記)の開発が発表されている(参考記事)。

     ワード線(セルトランジスタのゲート線)の積層数を増やす「高層化」は、3D NANDフラッシュの記憶密度(単位面積当たりの記憶容量)を高める最も重要な技術である(参考記事)。ワード線の積層数を2倍にすると、単純計算では記憶密度は2倍に高まるからだ。

    photo001_o

    (続きはこちら)
    https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1558855.html

    156: Socket774 (スププ Sd62-I+S9) 2024/01/05(金) 14:47:50.88 ID:D8g6EK97d
    8TBがワンチップで

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