155: Socket774 (ワッチョイ 2e6e-9OJL) 2024/01/05(金) 14:45:00.03 ID:hcaCHBHA0
2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。2013年に24層(ワード線の積層数)で始まった3D NANDフラッシュメモリの積層数は、9年後の2022年には約10倍の236層に達した。翌年(2023年)には、321層の3D NANDフラッシュメモリ(以降は3D NANDフラッシュと表記)の開発が発表されている(参考記事)。
ワード線(セルトランジスタのゲート線)の積層数を増やす「高層化」は、3D NANDフラッシュの記憶密度(単位面積当たりの記憶容量)を高める最も重要な技術である(参考記事)。ワード線の積層数を2倍にすると、単純計算では記憶密度は2倍に高まるからだ。
ワード線(セルトランジスタのゲート線)の積層数を増やす「高層化」は、3D NANDフラッシュの記憶密度(単位面積当たりの記憶容量)を高める最も重要な技術である(参考記事)。ワード線の積層数を2倍にすると、単純計算では記憶密度は2倍に高まるからだ。
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https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1558855.html 156: Socket774 (スププ Sd62-I+S9) 2024/01/05(金) 14:47:50.88 ID:D8g6EK97d
8TBがワンチップで