汎用型自作PCまとめ

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    メモリ

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    399: Socket774 (ｱｳｱｳｳｰ Saab-vce/) 2019/05/23(木) 11:00:47.87 ID:3AGzAXk/a
    メモリの値段も下がってきたので一式揃えようと思うんだが、8GB*4と16GB*2ならどちらにすべきだろうか？
    今後の拡張性考えると空きスロット2かしら？
    ママンはx470 taichi予定

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    Memory

    1: へっぽこ立て子＠エリオット ★ 2019/05/24(金) 14:27:07.48 ID:CAP_USER
    □次世代メモリの立ち位置を再確認する
    　2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。

    　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

    　本シリーズの第4回でご説明したように、コンピュータのメモリ／ストレージ階層における次世代メモリの立ち位置は、DRAM階層とNANDフラッシュメモリ階層の間にある。
    次世代メモリの「理想と現実」 (1/2) - EE Times Japan
    https://eetimes.jp/ee/articles/1904/11/news028.html
    メモリ／ストレージ階層の隣接する階層間における遅延時間（レイテンシ）のギャップが、DRAMとNANDフラッシュメモリの間で大きく開いているからだ。遅延時間の違いは約4桁もある。

    　ギャップが大きいということは、新たな階層を挟む余地がある、ということでもある。NANDフラッシュメモリのストレージであるSSDが登場する以前の時代は、DRAMの次にくるメモリ／ストレージ階層はHDDだった。DRAMとHDDの遅延時間のギャップはさらに大きく、約6桁におよんだ。SSDは、DRAMと次の階層のギャップを約4桁にまで縮め、コンピュータの性能向上に大きく寄与した。

    　しかしコンピュータにおけるメモリ/ストレージ階層のバランスは、まだ改善の余地が大いに残っている。この改善に寄与するのが、次世代メモリだともいえる。

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    コンピュータのメモリ/ストレージと遅延時間（レイテンシ）の関係。DRAMとNANDフラッシュメモリのギャップが約4桁と大きい。出典：MKW Venture Consulting, LLC

    □最有力候補のメモリ技術3種とその現状
    　次世代メモリの最有力候補は、3つのメモリ技術に絞られる。相変化メモリ（PCM）、磁気抵抗メモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）である。

    　相変化メモリ（PCM）は当初、単体のメモリとして128Mビット品が市販されたほか、異なる種類のメモリを混載するマルチチップパッケージとしてカスタム品が製品化された。しかしこれらの製品は、一時期の販売にとどまった。

    （続きはこちら）
    https://eetimes.jp/ee/articles/1905/22/news035.html

    2: 名刺は切らしておりまして 2019/05/24(金) 14:29:22.60 ID:zLLylcs9
    MRAMとFeRAMは10年くらい次世代メモリって煽り続けてるような

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    1: Ψ 2019/05/12(日) 12:53:02.24 ID:1FQqCYkw
    なんかメモリ8Gで4千円切ってるけどどうしよう？
    でも必要ないんだよね、必要ないけど安いし。
    そのカネでちなみにCPU交換やSSD換装にまわせとか言われそうだけど
    とっくにやってるにょ。しかもこれ予備のノートなんだよね。
    迷うわー。

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    934: Socket774 2019/05/10(金) 17:53:14.54 ID:vgyNt3AU
    Cruial、業界最速DDR4-3200に対応するJEDEC準拠DDR4メモリ発売

    Ballistix Elite DDR4

    マイクロンジャパン株式会社（本社：東京都港区）は2019年5月10日、JEDEC準拠のDDR4-3200対応メモリ「Crucial DDR4 3200MT/s」と、最高DDR4-3600に対応するゲーミングメモリ「Ballistix Elite DDR4」について、国内市場向け取り扱い開始を発表した。

    https://www.crucial.jp/jpn/ja/memory-ballistix-elite

    http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2019/0510/304556

    936: Socket774 2019/05/10(金) 18:10:44.40 ID:dlmEu39d
    最近買ったDDR4-2666がもう型遅れになった

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    147: Socket774 (ﾜｯﾁｮｲ 4dbe-KxX0) 2019/05/01(水) 20:50:07.99 ID:sLLTSkbT0
    メモリが暴落してるから生産量を減らすらしい。そろそろ底値で買い時か？

    韓経：ＤＲＡＭ価格が下落…ＳＫに続いてサムスンも「生産量を調節」

      ＤＲＡＭの固定取引価格が今年に入って４カ月連続で下落した。昨年末に比べて半分に落ちた。世界トップのＤＲＡＭ製造企業のサムスン電子は製品生産量の調節などで半導体業況に対応することにした。

      市場調査会社ＤＲＡＭエクスチェンジによると、４月のパソコン用ＤＤＲ４　８ギガビット（Ｇｂ）ＤＲＡＭ固定取引価格は３月（４．５６ドル）比で１２．３％下落した４ドルだった。今年に入って４カ月間で４４．８％（３．２５ドル）落ちた。４月のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー固定取引価格（１２８Ｇｂ　ＭＬＣ基準）も３．９８ドルと、前月（４．１１ドル）比２．６％下落した。パソコン用固定取引価格は全体的な半導体価格動向の「バロメーター」の役割をする。

      サムスン電子はこの日、１－３月期のＤＳ（半導体部品）部門の営業利益が４兆１２００億ウォン（約３９３０億円）と前年同期（１１兆５５００億ウォン）に比べ６４．３％減少したと発表した。供給過剰で価格がさらに下落すると予想した顧客が注文を先に延ばしているからだ。サムスン電子メモリー事業部のチョン・セウォン副社長は「需要の見通しと在庫を考慮して生産ライン最適化作業を進める計画」と述べた。工程転換などを通じて当初計画していた生産量を市況に合わせて減らすという意味と解釈される。

    （続きはこちら）
    https://japanese.joins.com/article/951/252951.html

    148: Socket774 (ﾜｯﾁｮｲ 2bbe-mEZ1) 2019/05/01(水) 22:08:37.70 ID:1vDCQC3k0
    サムスン電子、第1四半期は60％営業減益　下期の業績改善見込む
    https://jp.reuters.com/article/samsung-elec-results-idJPKCN1S6061
    　　　↑
    メモリー　安くなってるの？

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