
1: 名無しさん@涙目です。(庭) [IT] 2025/02/23(日) 15:40:44.03 ID:q/JH2hu60● BE:618719777-2BP(6000)
フラッシュメモリ第10世代は332層で密度59%向上、キオクシアら
4.8Gb/秒と高速、低消費電力化も
キオクシアとSandiskは、4.8Gb/秒のNANDインタフェース速度やさらなる低消費電力化などを実現する3次元(3D)フラッシュメモリ技術を開発した。この技術を導入する第10世代品は、積層数332層で、平面方向の高密度化によってビット密度は59%向上するという。
4.8Gb/秒と高速、低消費電力化も
キオクシアとSandiskは、4.8Gb/秒のNANDインタフェース速度やさらなる低消費電力化などを実現する3次元(3D)フラッシュメモリ技術を開発した。この技術を導入する第10世代品は、積層数332層で、平面方向の高密度化によってビット密度は59%向上するという。
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10: 名無しさん@涙目です。(庭) [CA] 2025/02/23(日) 16:05:12.49 ID:WyaZHPow0
これ凄いの?