2nmプロセスのN2がTSMCで今年量産開始　IEDM 2024レポート

　前回まで、間に1回挟みつつインテルのIEDM 2024における発表を説明してきたが、これで主要なインテルの発表は網羅した感がある。

　あと残っているのは9-3(30nm Channel-Length Enhancement-Mode GaN MOSHEMT Transistors on a 300mm GaN-on-TRSOI Engineered Substrate)と24-2(The critical role of 2D TMD interfacial layers for pFET performance)、32-3(Correlation of TMD Defects with Device Performance in Ultra-Scaled Channels: Theoretical Insights and Experimental Observations)の3つである。

　9-3はタイトルにもあるように信越化学子会社の信越半導体製のTRSOI(Trap Rich Silicon On Insulator:RF回路向けなどに使われる特殊なウェハーで、シリコンと酸化膜の間にTrap Richと呼ばれる特殊な層を挟み込んだもの)を利用してGaN MOSHEMTトランジスタを構成したというもので、最大532GHz動作を確認したとしているが、これはロジック向けではなくRF(Radio Frequency:無線周波数)向けのもの。

　24-2はベルギーIMEC(Interuniversity Microelectronics Centre:大学際微細電子工学中央研究団)、32-3はアイルランド国立大学コーク校の中にあるTyndall National Instituteによる論文で、どちらもインテルが研究に協力したという話であってインテルそのものによる発表ではない。

　よって、インテルの紹介はこの程度にして、ほかにいくつか目についたものを取り上げたい。今回はTSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company:台湾積体電路製造)が発表した"2nm Platform Technology featuring Energy-efficient Nanosheet Transistors and Interconnects co-optimized with 3DIC for AI, HPC and Mobile SoC Applications"である。タイトルの通り、TSMCのN2についての説明である。

以下ソース
https://ascii.jp/elem/000/004/250/4250448/

AMDはTSMC捨てて寒に移行するからN2見送るんだろうな