SK hynix

1: 田杉山脈 ★ 2019/06/28(金) 15:32:23.28 ID:CAP_USER
SKハイニックスが世界で初めて128層の4D NAND型フラッシュメモリー開発に成功し、今年下半期(7-12月)に製品の量産に入る。従来の96層の4D NANDと比較すると生産性が40%向上するという。

SKハイニックスは26日、「128層1テラビット(Tb)TLC(Triple Level Cell)4D NAND型フラッシュメモリー」の開発に成功し、量産を始めると明らかにした。昨年10月に96層4D NAND型フラッシュメモリーを開発してから8カ月ぶりだ。

(続きはこちら)
https://japanese.joins.com/article/901/254901.html

31: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:06:48.23 ID:vcHxe01I
生産ラインまで持っていくだけの金があるのか?


45: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:41:28.15 ID:4nxU5N1Z
世界初といつも大風呂敷広げるのが好きだな。
そのあとすぐに沈静化するのがいつものパターン

62: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 19:50:47.28 ID:Z+GCJu4O
ボトルネックはストレージだから需要はあるんじゃないの

23: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 16:46:24.88 ID:m7gplNz5
3D NANDは3次元構造のメモリセルだから理解できる。
4Dって何だよw
データ読み書き時に、映画みたいに座席に振動がくるとか、館内に匂いが充満するとかか?

15: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 16:23:00.23 ID:YJRlwYz0
>>1
4Dって何?
xyz+tなの?
ggrksとか言わないで教えてね

32: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:09:25.25 ID:XrjZ+EK/
>>15
メモリの周辺回路をメモリの外側じゃなくてメモリの下に置いてる。つまりxyzz
これを4Dと呼ぶのもなんだかなーとは思うが

47: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:47:54.46 ID:YJRlwYz0
>>32
ありがとう

25: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 16:54:25.10 ID:wgZ1f8os
 この「V5」技術によるNANDフラッシュをSK Hynixはとくに、「4D NAND」と呼んでいた。
その理由は、周辺回路(ペリフェラル)とセルアレイを積層することでシリコンダイ面積を削減する技術を採用したことにある。
この技術を同社は「PUC(Peripheral Under Cell)」と呼んでいた。
周辺回路とセルアレイの積層によって「次元(ディメンション)」が1つ増えたと見なし、
「3D NAND」から「4D NAND」へ名称を変えたと説明していた。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1137627.html

41: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:31:18.87 ID:itcF4OC2
いずれにせよ128層って、設計は地獄やな。

43: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 17:38:28.59 ID:e67+5aR8
>>41
まっとうな歩留まりになるのかね
90層クラスでも各社まだ苦労しているのに

63: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 20:05:27.85 ID:YnmtAupv
東芝はとっくに128層量産してるんだが?

64: 名刺は切らしておりまして 2019/06/28(金) 20:12:07.63 ID:64CyfhYJ
>>63
96層じゃなかった?

76: 名刺は切らしておりまして 2019/06/29(土) 07:52:47.85 ID:hRP5zY96
SKよりサムスンのほうが性能良いんじゃないの?

81: 名刺は切らしておりまして 2019/06/29(土) 17:40:22.88 ID:z4q1iBjd
サムソンとSKは国内で熾烈な闘争してるな

79: 名刺は切らしておりまして 2019/06/29(土) 16:00:13.58 ID:KJazpC3M
平面的な微細技術の限界来たから立体的で凌ぐのかと思えば、それも瞬く間に限界まで来たとな、次の手はあるのですか。