774: Socket774 2018/08/10(金) 12:54:28.43 ID:mkCPD80l0
東芝、1.33Tbit/ダイの超大容量3D NANDと超高速3D NANDを披露

3dnad

 フラッシュメモリに関する世界最大のイベント(講演会兼展示会)「Flash Memory Summit(FMS)」が今年(2018年)もはじまった。会場は米国カリフォルニア州サンタクララのサンタクララコンベンションセンター、会期は8月7日~9日の3日間である。

 初日である7日の基調講演セッションには、3D NANDフラッシュの大手ベンダーによる講演が集中した。そのなかで最初に講演した東芝メモリは、ワード線の積層数で96層の第4世代 3D NAND技術(「BiCS4」と呼称)と4bit/セルの多値記憶技術(QLC技術)の組み合わせによる、シリコンダイ当たりの記憶容量が1.33Tbitと過去最大のフラッシュメモリを披露した。

(続きはこちら)
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1137606.html

96層の3D NAND技術とQLC技術を組み合わせたメモリセルのデータ書き換えサイクル特性
1,500回書き換えでも書き込みに関して目立った劣化が見られない

775: Socket774 2018/08/10(金) 12:58:44.04 ID:p8m7bmv90
>>774
いきなりQLCの寿命解決!?

超低TBWの660pはなんだったのか…

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777: Socket774 2018/08/10(金) 13:31:09.54 ID:Mfaj2KHSM
>>774
「目立った劣化は見られない」
うーん……


788: Socket774 2018/08/10(金) 17:50:27.35 ID:kvYm7i1i0
>>774
「XL-FLASH」って疑似SLCキャッシュの事だろ?

photo009_o

上図のTLCのレイテンシがフルフラットな事からしても、
ずるいアピールだな。

779: Socket774 2018/08/10(金) 14:30:51.58 ID:Nqp/ejPuM
WD東芝メモリ、Samsung、SK hynix、(多分YMTCも)はチャージトラップ方式
一方intelMicronはフローティングゲート方式
QLCとした際でも、最大電荷量が相対的に多く
物理的に絶縁部が損傷しやすいフローティングゲート方式と比較して優位なんだろう
まぁ上の記事は、書き込んだ直後に電位チェックしたものな気がするがw


780: Socket774 2018/08/10(金) 14:36:58.37 ID:p8m7bmv90
>>779
あーなるほど、QLCで何度も書込動作を行うならチャージトラップの方が優位ってことか
まあデータ保持性能は上の記事だと分からないね


788: Socket774 2018/08/10(金) 17:50:27.35 ID:kvYm7i1i0
>>780
結局1,500回OKが、実際のSSDのTBWに、どれだけ
貢献するのか、製品のスペック待ちだな。